GB-T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

ICS 29.120.50 K 31 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2012 代替GB/T13539.4—2009 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 Low-voltage fuses- Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices (IEC60269-4:2012,IDT) 2016-04-25发布 2016-11-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会 CB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2012 目次前言 1 总则 2术语和定义 3正常工作条件 4分类 5 熔断器特性 7 设计的标准条件 8试验附录AA（资料性附录）熔断体和半导体设备的配合导则 18 附录BB（规范性附录）制造厂应在产品使用说明书（样本)中列出的半导体设备保护用熔断体的资料 ...+. .....22 附录CC（规范性附录）半导体设备保护用标准化熔断体示例 23 参考文献 39

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